Как разогнать оперативную память DDR5

Разгон — это искусство, которое существовало на протяжении всей истории ПК — кто бы не хотел получить дополнительную производительность от уже купленного оборудования? Разгон вашего процессора или видеокарты обычно привлекает все внимание из-за значительного прироста производительности, который вы получаете от разгона. Однако разгон памяти также может дать заметные преимущества, если вы готовы приложить усилия.

DDR5 принесла много захватывающих улучшений по сравнению с DDR4, включая повышение производительности, пропускной способности и емкости, когда она дебютировала с Intel Alder Lake. Как вы уже догадались, чипы следующего поколения, такие как Raptor Lake и AMD Ryzen 7000, также будут поддерживать новую память, так что скоро вы увидите множество новых вариантов на рынке.

Единственное предостережение заключается в том, что память DDR5 находится на ранних стадиях своего жизненного цикла, поэтому она не совсем соответствует уровню высокопроизводительной памяти DDR4. Это имеет смысл, поскольку DDR4 уже давно отсутствует. Однако это не означает, что мы не можем разогнать DDR5, чтобы выжать больше производительности из комплекта памяти. Всегда есть риск при использовании оборудования, не соответствующего спецификациям производителя, и гарантия на продукт также не распространяется на разгон. Тем не менее, разгон не влияет на самочувствие вашего оборудования, если он выполняется правильно и в разумных пределах.

Многие энтузиасты и обычные пользователи будут просто использовать встроенный в наборы памяти профиль XMP, который представляет собой автоматизированный метод разгона памяти. Если вы заинтересованы в использовании этой техники, перейдите к нашей статье «Как включить XMP». Если вы хотите добиться еще большей производительности, вот наше руководство по выжиманию максимальной производительности из вашего комплекта памяти DDR5.

Знайте свои микросхемы DDR5

Различные интегральные схемы (ИС) ведут себя по-разному, и такая же ситуация с DDR5. В то время как некоторые микросхемы могут быть более заметными для достижения более высоких частот, другие лучше подходят для низких таймингов. Крупные производители, включая Micron, Samsung и SK Hynix, выпустили свои первые микросхемы для DDR5. Тем не менее, DDR5 все еще мокрый за уши, так что у нас нет широкого выбора ИС.

Не бывает двух одинаковых микросхем, даже если они принадлежат одному бренду и одной линейке продуктов. Так, например, даже если определенная микросхема «X» может разогнаться выше DDR5-6000, это не означает, что все микросхемы «X» могут это сделать. Так что, в конечном счете, здесь все еще задействована небольшая кремниевая лотерея.

Thaiphoon Burner была отличной утилитой для чтения SPD на модулях памяти DDR4, чтобы определить, какие микросхемы они несут, не разбирая радиатор. К сожалению, из-за отсутствия документации от JEDEC разработчик Thaiphoon Burner не смог добавить поддержку DDR5.

К счастью, CPU-Z может найти производителя ИС для модулей памяти DDR5, даже если не может определить точную модель ИС. На данный момент эта функция полезна, так как не так много ИС от одной компании. Однако, как только производители выпустят на рынок более одной микросхемы, CPU-Z вообще не поможет, если только разработчик не найдет способ определить конкретные микросхемы.

Во времена DDR4 микросхемы Samsung B-die были золотым стандартом для жестких временных рамок. С DDR5 мы обнаружили, что SK hynix M-die может работать с таймингами, аналогичными B-die. Основываясь на нашем опыте работы с различными комплектами памяти DDR5, микросхемы SK hynix M-die обладают самым высоким разгонным потенциалом. Например, мы смогли получить M-die до DDR5-6600, в равной степени разогнать комплект памяти DDR5-4800 M-die и добиться стабильности на DDR5-6000.

Опять же, мы должны подчеркнуть, что это только наши предварительные наблюдения с ИС текущего поколения. Ситуация может измениться по прошествии времени, когда ИС станут более совершенными, или новые ИС появятся на рынке. Но, по крайней мере, сейчас мы ранжируем микросхемы в таком порядке для разгона: SK hynix M-die, Samsung B-die и Micron A-die.

При разгоне памяти мы сначала пытаемся определить максимальное безопасное напряжение, которое мы можем использовать для различных микросхем. Samsung сообщила нам, что компания не гарантирует разгонное напряжение для своих микросхем, но абсолютный максимум постоянного напряжения стока составляет 1,4 В. Мы связались с представителями SK hynix и Micron, чтобы узнать об их соответствующих микросхемах. К сожалению, мы не получили никакой обратной связи по этому вопросу. Тем не менее, мы говорили с различными поставщиками памяти, и пришли к единому мнению, что 1,4 В — это максимальное напряжение для повседневного использования.

Процесс разгона

1. Установите целевую скорость передачи данных DRAM. Первый шаг — определить, насколько далеко вы хотите расширить память DDR5. Есть два подхода: вы можете выбрать высокую скорость передачи данных и работать с ней, или вы можете выбрать более скромную скорость передачи данных и работать вверх, чтобы найти потолок для вашего комплекта памяти.

Для справки, соотношение по умолчанию для DDR5 составляет 100:100. Тем не менее, определенные скорости передачи данных доступны только при соотношении сторон 100:133, например DDR5-5333 или DDR5-6666.

Как и Rocket Lake, Alder Lake также предлагает два соотношения BCLK/DRAM: 100:100 и 100:133. С Rocket Lake соотношение 100:133 работает лучше. Однако на Ольховом озере соотношение 100:100 обеспечивает аналогичную производительность.

У Alder Lake есть три режима передач для памяти, но Gear 2 — единственный параметр, который действительно имеет значение для разгона DDR5 на уровне энтузиастов. Память и контроллер памяти работают с одинаковой частотой в Gear 1 (1:1), в то время как Gear 2 позволяет памяти работать в два раза быстрее, чем контроллер памяти (2:1). Наконец, Gear 4 работает с памятью в четыре раза быстрее, чем с контроллером памяти (4:1).

Gear 1 не работает с DDR5, поскольку по умолчанию используется конфигурация Gear 2, а Gear 4 не вступит в игру, пока вы, вероятно, не достигнете скорости передачи данных DDR5-8000 и выше. Таким образом, вы должны использовать только Gear 2 для большинства разгонов памяти DDR5, хотя экстремальным разгонщикам, использующим жидкий азот, может потребоваться переход на Gear 4.

2. Настроить тайминги памяти. Этот шаг является частью процесса разгона методом проб и ошибок и может занять много времени. DDR5 имеет те же четыре основных тайминга памяти (CAS Latency, tRCD, tRP и tRAS), что и DDR4. Хитрость заключается в том, чтобы использовать маленькие шаги, увеличивая отдельные тайминги на один или два такта, а затем проверяя стабильность.

Мы рекомендуем вам начать с объявленных таймингов вашего комплекта памяти и идти оттуда. Если ваш разгон нестабилен, добавьте один такт к таймингам. Если он стабилен, вы можете попробовать уменьшить время на один такт, чтобы оптимизировать разгон.

Вы также можете попробовать поиграть с командной скоростью, если вы чувствуете себя авантюрно. Для DDR5 скорость передачи команд по умолчанию составляет 2T; однако 1T возможен в зависимости от IC. Нам удалось заставить микросхемы Samsung и SK hynix работать на скорости 1T, но нам не очень повезло с микросхемами Micron.

Разгон памяти — это больше, чем просто игра с четырьмя основными таймингами: вы можете получить значительный прирост производительности, настроив вторичные и даже третичные тайминги. Однако это выходит за рамки данной статьи, поэтому мы не будем копаться в этой кроличьей норе.

3. Увеличьте напряжение. Существует довольно много настроек напряжения, влияющих на разгон памяти, но обычному пользователю достаточно настроить четыре из них. Остальные напряжения можете оставить на усмотрение вашей материнской платы.

ДРАМ ВДД: Это напряжение является одним из самых критичных, так как питает микросхемы памяти. Для повседневного использования мы рекомендуем держать его ниже 1,4 В в целях безопасности.

DRAM VDDQ: Напряжение питает ввод-вывод микросхемы памяти. VDD и VDDQ обычно идут рука об руку. Однако в некоторых случаях десинхронизация напряжений и использование более высокого напряжения VDDQ (50 мВ — 100 мВ) могут помочь стабилизировать разгон памяти.

ЦП VDDQ: Напряжение, которое поступает на контроллер памяти процессора. 1,2 В достаточно для DDR5-4800 до DDR5-6000, тогда как 1,4 В должно быть достаточно для DDR5-6200 и выше.

ВКССА: Это напряжение для системного агента, но оно помогает при разгоне памяти. Это одно из наиболее чувствительных напряжений, поэтому используйте небольшие приращения. Например, от 1,25 В до 1,35 В достаточно для большинства разгонов памяти. Лучше всего держать VCCSA ниже 1,4 В.

4. Проверьте стабильность разгона. Одни пользователи запускают стресс-тесты на несколько часов, другие — на ночь. Вы должны решить, насколько важна стабильность памяти для вашей системы и сколько времени вы готовы потратить на тестирование. Кроме того, разные программы используют разные алгоритмы отлова ошибок. Вместо того, чтобы полагаться на одну программу, мы рекомендуем вам использовать комбинацию из двух или более для проверки стабильности.

В любом случае, не зацикливайтесь на наказании памяти DDR5. Как только вы будете удовлетворены своим разгоном, ежедневное использование, в конечном счете, станет лучшим тестом на стабильность.

5. Сохраните разгон. В старые времена вам приходилось либо запоминать настройки разгона памяти, либо записывать их на листе бумаги. DDR5 поставляется с новым стандартом XMP 3.0, что увеличивает общее количество профилей памяти до пяти. Два из этих профилей доступны пользователю, поэтому мы рекомендуем использовать их. Как только вы нашли свой стабильный разгон памяти, не забудьте сохранить его в свой модуль памяти DDR5. Параметр зависит от материнской платы, но обычно вы можете найти эту функцию в разделе DRAM.

Программное обеспечение для тестирования стабильности

Есть много вариантов тестирования разгона памяти, но мы составили небольшой список наиболее распространенных и практичных инструментов. Многие из них бесплатны, но для некоторых требуется лицензия.

• Мемтест86: Это олдскульное программное обеспечение для тестирования памяти, но оно по-прежнему остается одним из лучших вариантов. Программа загрузится с USB-накопителя, чтобы вы могли проверить стабильность разгона, не заходя в Windows.
• Мемтест гиперконвергентной инфраструктуры: Программное обеспечение довольно быстро выявляет ошибки памяти. Оптимальный способ — открывать по одному экземпляру на поток ЦП и делить память на равные части для тестирования.
• Тест стрессовых приложений Google (GSAT): Если вы работаете с Linux, нет лучшей утилиты для тестирования памяти, чем GSAT. Google использует это программное обеспечение для тестирования своих машин.
• Тест оперативной памяти Karhu: Программное обеспечение хорошо справляется со своей задачей и поддерживает до 8 ТБ памяти. К сожалению, это не бесплатно и требует лицензии за 10 долларов.
• Тестовая память 5: Это легкое и надежное программное обеспечение поддерживает индивидуальные конфигурации. Конфигурация Anta777 Extreme в настоящее время является самой популярной и широко используемой предустановкой.

Оптимизированные тайминги DRAM

Нет простых способов добиться максимального разгона памяти. Тем не менее, мы составили небольшую таблицу с возможными оптимизированными конфигурациями существующих комплектов памяти DDR5. Это не волшебные формулы, которые вы можете подключить к своей материнской плате без тестирования — помните, что каждый комплект памяти отличается независимо от того, имеют ли они одинаковую ИС. Однако эти базовые конфигурации могут послужить для вас трамплином, и вы сможете двигаться дальше. Не бойтесь пробовать другие комбинации.

Мы придерживались более стандартных скоростей передачи данных, которые вы можете найти на рынке, таких как DDR5-4800, DDR5-5200 и т. д. Однако вы также можете поэкспериментировать с другими необычными скоростями передачи данных, такими как DDR5-5066.